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| 名前: | スイッチング・ダイオード | 部品番号: | 1N4448 |
|---|---|---|---|
| VR: | 75V | ボックス: | DO-35 |
| 接合部温度: | 175°C | 保存温度: | – +175°Cへの65 |
| ハイライト: | ultra fast switching diode,small signal switching diode |
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1N4448 DO-35場合が付いている高速スイッチング・ダイオードの小さい単一のダイオード
特徴
•ケイ素のエピタキシアル平面のダイオード
•速いスイッチング・ダイオード。
•このダイオードはタイプとのSOD-123場合を含む他の場合様式でまた利用できます
指定1N4448W、タイプ指定LL4148、SOT-23とのMiniMELFの例
タイプ指定IMBD4148との場合。
。
機械データ
場合:DO-35ガラス容器
重量:およそ0.13g
最高の評価および熱特徴（通知がなければTA = 25°C）
| 変数 | 記号 | 限界 | 単位 |
| 逆電圧 | VR | 75 | V |
| ピーク逆電圧 | VRM | 100 | V |
|
平均は流れを調整しました Tamb = 25°Cの抵抗負荷との半波改正 |
（AV） | 150 | mA |
| tのサージの前方流れ < 1s="" and="" Tj="25°C | IFSM | 500 | mA |
| Tamb = 25°Cの電力損失 | Ptot | 500 | MW |
| 周囲の空気への熱抵抗の接続点 | RθJA | 350 | °C/W |
| 接合部温度 | Tj | 175 | °C |
| 保管温度 | TS | – 65から+175 | °C |
電気特徴（通知がなければTJ = 25°C）
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| 前方電圧 | VF |
= 5mA = 100mA |
0.62 — |
— — |
0.70 1.0 |
V |
| 漏出流れ | IR |
VR = 20V VR = 75V VR = 20V、TJ = 150°C |
— — — |
— — — |
25 5 50 |
nA μA μA |
| 逆の絶縁破壊電圧 | V （BR） R | IR = 100ìA （脈打つ） | 100つ | — | — | V |
| キャパシタンス | Ctot | VF = VR = 0V | — | — | 4 | pF |
| 逆の回復時間 | trr |
= 10mA、IR = 1mA、 VR = 6V、RL = 100Ù |
— | — | 4 | ns |
| 改正効率 | nv | f = 100MHz、VRF = 2V | 0.45 | — | — | — |
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コンタクトパーソン: Bixia Wu
