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名前: | ショットキー ダイオード | 部品番号: | 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF |
---|---|---|---|
場合: | 2 x 5A | 電圧: | 150V |
パッケージ: | D2PAK/TO-262 | 接合部温度: | -55-175°C |
ハイライト: | silicon rectifier diode,silicon zener diode |
10Aショットキーの整流器ダイオード10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF MOSFETの電界効果トランジスタ
特徴
•175 °C TJ操作
•中心の蛇口構成
•低い前方電圧低下
•高周波操作
•高められた機械強さのための高い純度、高温エポキシのカプセル封入
湿気抵抗
•高められた険しさおよび長期信頼性のための監視リング
•(Pb)なしを導いて下さい(「PbF」の接尾辞)
•産業レベルのために設計され、修飾されて
主要な評価および特徴 | |||
記号 | 特徴 | 価値 | 単位 |
(AV) | 長方形の波形 | 10 | A |
VRRM | 150 | V | |
IFSM | TP = 5つのμsの正弦 | 620 | A |
VF | 5 Apk、TJ = 125 °C (足1本あたりに) | 0.73 | V |
TJ | 範囲 | - 55から175 | °C |
絶対最高評価 | |||||
変数 | 記号 | テスト条件 | 価値 | 単位 | |
足1本あたりの最高平均 装置ごとの前方流れ |
(AV) | 50%の使用率のTC = 155 °C、長方形の波形 | 5 | A | |
10 | |||||
最高のピーク1周期の足1本あたりの非反復サージ電流 | IFSM | 5つのμsの正弦か3つのμsのrect。脈拍 |
定格負荷の後 評価されるの条件および 適用されるVRRM |
620 | A |
10人の氏の正弦か6人の氏のrect。脈拍 | 115 | ||||
足1本あたりの非反復なだれエネルギー | EAS | TJ = 25 °C、IAS = 1 A、L = 10 mH | 5 | mJ | |
足1本あたりの反復的ななだれの流れ | IAR |
1 μsを0点規正するために直線に腐る流れ TJの最高によって限られる頻度VA =典型的な1.5 x VR |
1 | A |
電気指定 | |||||
変数 | 記号 | テスト条件 | 価値 | 単位 | |
足1本あたりの最高前方電圧低下 | VFM(1) | 5 A | TJ = 25 °C | 0.93 | V |
10 A | 1.10 | ||||
5 A | TJ = 125 °C | 0.73 | |||
10 A | 0.86 | ||||
足1本あたりの最高の逆の漏出流れ | IRM(1) | TJ = 25 °C | VRは= VRを評価しました | 0.05 | mA |
TJ = 125 °C | 7 | ||||
境界の電圧 | VF (に) | TJ = TJの最高 | 0.468 | V | |
敵かた斜面の抵抗 | rt | 28 | mΩ | ||
足1本あたりの最高の接続点キャパシタンス | CT | VR = °C 5 VDC (テスト信号の範囲100つのkHzから1つのMHz)の25 | 200 | pF | |
足1本あたりのインダクタンス典型的なシリーズの | LS | 測定されるパッケージ ボディから5つのmmを導くために導いて下さい | 8.0 | nH | |
最高の電圧変化率 | dV/dt | 評価されるVR | 10 000 | V/μs |
変数 | 記号 | テスト条件 | 価値 | ||
最高の接続点および保管温度の範囲 | TJ、TStg | - 55から175 | |||
最高の熱抵抗、 足1本あたりの場合への接続点 |
RthJC | DC操作 | 3.50 | ||
最高の熱抵抗、 パッケージ1個あたりの場合への接続点 |
1.75 | ||||
典型的な熱抵抗、 脱熱器への場合(TO-220のためにだけ) |
RthCS | 土台表面、滑らか、グリースを塗られる | 0.50 | ||
おおよその重量 | 2 | ||||
おおよその重量 | 0.07 | ||||
土台のトルク | 最低 | 6 (5) | |||
最高 | 12 (10) | ||||
印装置 | 場合様式D2PAK | 10CTQ150S | |||
場合様式TO-262 | 10CTQ150-1 |
サイズ:
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