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| 部品番号: | DB201-DB207 | 現在: | 2A |
|---|---|---|---|
| 電圧: | 50-1000V | SPQ: | 1000pcs |
| 実用温度: | -55°Cへの+150°C | 保管温度: | -55°Cへの+150°C |
| ハイライト: | bridge type rectifier,single phase bridge rectifier |
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2A 50-1000Vは段階的に行なわれたガラスによって不動態化されるケイ素橋整流器DB201-DB207を選抜します
特徴
*ガラスによって不動態化される破片の接続点
*ピーク50アンペアのの高いサージの積み過ぎ評価
*プリント基板のための理想
*低い前方電圧低下
*保証される高温はんだ付けすること:10秒の260°C
機械データ
*場合:形成されたプラスチック、DB
*エポキシ:UL 94V-O率の炎-抑制剤
*ターミナル:MIL-STD-202の保証される方法208ごとのsolderable導きます
*土台位置:
最高の評価及び熱特徴
指定される評価25℃の周囲温度のuniessのotherwies。
単一フェーズの半波、60Hzの、抵抗または誘導負荷。
容量性負荷のために、20%によって流れを軽減して下さい
| 変数 | 記号 | DB201 | DB202 | DB203 | DB204 | DB205 | DB206 | DB207 | 単位 |
| 最高の反復的なピーク逆電圧 | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| 最高RMS橋入力電圧 | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
| 最高DCの妨害電圧 | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| 最高前方電圧 2.0A DCおよび25℃ |
VF | 1.1 | V | ||||||
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評価されるTA =25 Cの最高DCの逆の流れ 要素TA =125 CごとのDCの妨害電圧 |
IR |
5.0 500 |
μA | ||||||
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先に調整される最高平均 TA=40 Cの出力電流 |
（AV） | 2.0 | A | ||||||
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ピーク前方サージ電流、8.3人の氏の単一の半分の正弦波 定格負荷（JEDEC方法）で重ねられる |
IFSM | 60 | A | ||||||
| 典型的な熱抵抗（ノート2） | RθJA | 40 | ℃/W | ||||||
| 典型的な熱抵抗（ノート2） | RθJL | 15 | ℃/W | ||||||
| 典型的な接続点キャパシタンス（ノート1） | Cj | 25 | pF | ||||||
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作動の接続点および保管温度 範囲 |
TJ、 TSTG |
-55--150 | ℃ | ||||||
注:
1 - 4.0 VDCの1つのMHZそして適用された逆電圧で測定されて。
2 - 0.5 x 0.5"のPCBに取付けられる単位（13 x 13mm）銅のパッド
サイズ:
なぜ私達を選んで下さいか。
1. ISO9001:2008証明された工場
2. ダイオードの生産の豊富な経験20年の
3. 厳密な品質管理は、顧客の最高の満足を達成します
4. 年間生産量は20億にあります
コンタクトパーソン: Bixia Wu
